Транзистор SI4800BDY SO8 — это мощный MOSFET-транзистор в корпусе SO8, предназначенный для управления нагрузкой в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и других силовых схемах. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой эффективности, он обеспечивает минимальные потери энергии. Подходит для использования в промышленной электронике, автомобильных системах и бытовых приборах. Совместим с большинством современных микроконтроллеров и драйверов.
Преимущества SI4800BDY:
- Высокая энергоэффективность благодаря низкому RDS(on).
- Компактный корпус SO8 для экономии места на плате.
- Широкий диапазон рабочих напряжений и токов.
- Быстрое переключение, что важно для импульсных схем.
- Надежность и долгий срок службы даже в жестких условиях эксплуатации.
Технические характеристики:
- Тип: N-channel MOSFET.
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS): 30 В.
- Максимальный ток стока (ID): до 12 А.
- Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 8 мОм (при VGS=10 В).
- Корпус: SO8 (Surface Mount).
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C.
Особенности эксплуатации и хранения:
- Хранить в сухом месте, избегая конденсации влаги.
- Не подвергать воздействию статического электричества (использовать антистатические меры).
- Рекомендуется пайка с соблюдением температурного режима (не превышать 260°C).
Условия безопасной работы:
- Избегать короткого замыкания выводов.
- Не превышать максимальные значения напряжения и тока.
- Использовать радиатор или теплоотвод при работе с высокими токами.
Мы предлагаем транзистор SI4800BDY SO8 с гарантией качества, быстрой доставкой и удобными способами оплаты. Оформите заказ прямо сейчас и получите надежный компонент для ваших электронных проектов!