RJP30H2A — это мощный MOSFET-транзистор в современном корпусе D2PAK, предназначенный для эффективного управления высокими токами и напряжениями. Полупроводниковый прибор идеально подходит для построения силовых каскадов в импульсных источниках питания, моторах и инверторах. Его конструкция обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии, что минимизирует потери мощности и нагрев во время работы. Этот компонент станет отличным выбором для проектов, требующих высокой надежности и производительности.
Ключевые преимущества этого силового транзистора:
- Высокая энергоэффективность благодаря низкому сопротивлению канала.
- Совместимость с популярными технологиями монтажа на печатную плату.
- Улучшенный теплоотвод для стабильной работы под серьезной нагрузкой.
- Широкий диапазон рабочих напряжений для применения в различных схемах.
Технические характеристики компонента:
- Структура: MOSFET (N-канальный)
- Корпус: D2PAK (TO-263)
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 650 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 0.3 Ом
- Максимальный ток стока (Id): 10 А
Для сохранения заводских качеств изделия необходимо соблюдать условия хранения: в оригинальной антистатической упаковке, при комнатной температуре и пониженной влажности. Монтаж должен производиться на оборудовании, обеспечивающем пайку с рекомендованным температурным профилем, чтобы не повредить кристалл и внутренние соединения.
При работе с компонентом соблюдайте стандартные меры электростатической безопасности (ESD). Избегайте превышения абсолютных максимальных значений, указанных в документации, так как это приводит к необратимому выходу из строя. Обеспечьте качественный отвод тепла с помощью радиатора или меди на печатной плате.
Мы предлагаем полный комплекс услуг — от профессиональной консультации по подбору компонентов до быстрой доставки и удобных способов оплаты. Все изделия поставляются напрямую от проверенных производителей. Убедитесь в качестве и сделайте заказ RJP30H2A прямо сейчас, чтобы обеспечить ваш проект надежной элементной базой.