Транзистор HXY20N50F TO220F

Транзистор HXY20N50F TO220F — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в изолированном корпусе, разработанный для высоковольтных силовых приложений. Компонент сочетает высокое рабочее напряжение 500В с низким сопротивлением открытого канала, что делает его идеальным решением для импульсных источников питания, промышленных преобразователей и систем управления мощной нагрузкой.

Основные преимущества HXY20N50F:

• Изолированный корпус TO220F для безопасного монтажа
• Высокое напряжение сток-исток 500В
• Низкое сопротивление открытого канала (0.25 Ом)
• Быстрое переключение с минимальными потерями
• Встроенный защитный диод для работы с индуктивными нагрузками

Технические характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 500V
• Ток стока: 20А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала: 0.25 Ом (VGS=10V)
• Мощность рассеивания: 50W
• Емкость затвора: 1200 пФ
• Температурный диапазон: -55°C...+150°C
• Время включения: 30 нс
• Тип корпуса: TO220F (изолированный)

Мы предлагаем оригинальный транзистор HXY20N50F TO220F с гарантией качества. Быстрая доставка по всей России, удобные способы оплаты. Закажите сейчас для ваших высоковольтных проектов!