Транзистор FQD5N60C представляет собой современный мощный полевой переключатель, выполненный в надежном корпусе DPAK. Этот компонент создан для эффективного управления высокими напряжениями и токами в ваших электронных схемах. Он идеально подходит для построения импульсных источников питания, систем управления двигателями и других силовых приложений. Благодаря передовой технологии производства, данный MOSFET-транзистор обеспечивает минимальные потери и высокую скорость переключения.
Преимущества этого транзистора:
- Низкое сопротивление в открытом состоянии для уменьшения тепловых потерь.
- Высокая стабильность и надежность даже в жестких рабочих условиях.
- Улучшенная устойчивость к перегрузкам и коротким замыканиям.
- Компактный и удобный для монтажа корпус, облегчающий проектирование плат.
Основные технические характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET.
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
- Стоковый ток: 4.5 А.
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.2 Ом.
- Пороговое напряжение затвора: от 2 до 4 В.
Для сохранения всех заявленных параметров, храните компонент в условиях нормальной влажности, вдали от источников статического электричества. Монтаж должен производиться на оборудовании, обеспечивающем защиту от ESD-разрядов. Избегайте механических повреждений выводов и корпуса.
При пайке соблюдайте рекомендованный температурный профиль, не превышающий допустимые значения. Всегда отключайте питание схемы перед установкой или заменой компонента. Используйте соответствующие средства защиты от статического электричества при работе с этим полевым транзистором.
Мы предлагаем полный комплекс услуг — от квалифицированной технической консультации до быстрой доставки и удобных способов оплаты. Убедитесь в надежности и качестве компонента FQD5N60C в вашем проекте — оформите заказ прямо сейчас.
Техническая документация
Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок
