Транзистор FQD30N06A в корпусе DPAK – это мощный и надежный N-канальный MOSFET, созданный для эффективного управления нагрузками. Он отлично подходит для сборки импульсных источников питания, систем управления двигателями и силовых преобразователей. Благодаря современной технологии чип обладает низким сопротивлением в открытом состоянии, что минимизирует потери мощности и нагрев. Этот компонент станет отличным выбором для модернизации или ремонта различной электронной аппаратуры.
Преимущества этого силового транзистора:
- Высокая энергоэффективность за счет малого сопротивления канала.
- Скоростное переключение, что критично для импульсных схем.
- Повышенная надежность и стойкость к перегрузкам.
- Удобный для монтажа и теплоотвода корпус DPAK (TO-252).
Ключевые технические параметры:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Стоковый ток: до 30 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.035 Ом
- Пороговое напряжение затвора: от 2.0 до 4.0 В
Для сохранения заводских качеств компонента важно обеспечить правильные условия. Храните и эксплуатируйте транзистор в сухих условиях, оберегая от статического электричества. При пайке строго соблюдайте рекомендованный температурный режим, чтобы не повредить кристалл и внутренние соединения.
Работа с мощными полевыми транзисторами требует соблюдения мер безопасности. Обязательно используйте антистатические браслеты и упаковку при транспортировке. Избегайте превышения максимально допустимых значений напряжения и тока, указанных в спецификации, чтобы предотвратить пробой и выход устройства из строя.
Мы предлагаем полный комплекс услуг, быструю доставку и удобные способы оплаты. Чтобы приобрести качественный оригинальный FQD30N06A и получить профессиональную консультацию, оформите заказ прямо сейчас на нашем сайте.
Техническая документация
Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок
Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок
