Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор BC857CLT1G SOT23 (3G*)

К сравнению
В избранное
Артикул:25618
Транзистор BC857CLT1G SOT23 (3G*)
Компактный PNP-биполярный транзистор общего назначения в миниатюрном корпусе, отличающийся высоким коэффициентом усиления и стабильными параметрами. Идеально подходит для применения в схемах управления и усиления сигналов в портативной электронике.
Корпус
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Граничная частота коэф. передачи тока fгр, МГц
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
В наличии 35 шт.
Начислим +0.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

9 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор BC857CLT1G SOT23 (3G*) — это современный биполярный транзистор структуры PNP, предназначенный для управления слаботочными нагрузками и усиления сигналов в электронных схемах. Благодаря компактному корпусу SOT-23 он идеально подходит для плотного монтажа печатных плат в портативной электронике и бытовой технике. Его высокая универсальность позволяет применять компонент в самых разных устройствах, от источников питания до аудиоаппаратуры, обеспечивая стабильность и надежность работы.

Преимущества этого транзистора:

  • Высокий коэффициент усиления по току, что обеспечивает эффективное управление даже слабыми сигналами.
  • Миниатюрный и технологичный корпус, экономящий ценное пространство на печатной плате.
  • Низкое напряжение насыщения, способствующее уменьшению потерь мощности и повышению КПД устройства.
  • Отличная повторяемость параметров в рамках производственной партии для стабильного результата.

Основные технические характеристики:

  1. Тип проводимости: PNP.
  2. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В.
  3. Непрерывный ток коллектора: до 100 мА.
  4. Максимальная рассеиваемая мощность: 250 мВт.
  5. Корпус: SOT-23 (3 вывода).
  6. Коэффициент усиления по току (hFE): задается маркировкой (3G*).

Для сохранения заводских параметров компонент необходимо оберегать от воздействия статического электричества. Храните и транспортируйте транзисторы в антистатической упаковке или специальных контейнерах. Не допускается превышение максимально допустимых значений напряжения и тока, указанных в технической документации.

При пайке и монтаже соблюдайте стандартные меры электробезопасности. Используйте паяльное оборудование с заземленным жалом для защиты от электростатического разряда (ESD). Избегайте перегрева корпуса во время пайки, чтобы не повредить внутреннюю структуру полупроводника.

Мы предлагаем полный комплекс услуг, включая оперативную доставку, удобные способы оплаты и квалифицированную техническую поддержку. Убедитесь в высоком качестве компонента BC857CLT1G — оформите заказ прямо сейчас и получите надежную деталь для вашего проекта.

Характеристики
Корпус
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Граничная частота коэф. передачи тока fгр, МГц
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Максимальное напряжение к-э (Uкэо макс), В
Структура
Максимально допустимый ток к (Iк макс), А
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация

C этим товаром также покупают
СВЧ слюда 150*150мм 0.35мм
СВЧ слюда 150*150мм 0.35мм
98 руб.
Начислим +4.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

В наличии 40 шт.
11
Микросхема IR2101 DIP8
Микросхема IR2101 DIP8
298 руб.
Начислим +14.9 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

Осталось 4 шт.
11
Транзистор BC847C.235 SOT23 (1GW)
Транзистор BC847C.235 SOT23 (1GW)
9 руб.
Начислим +0.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

В наличии 69 шт.
11