Транзистор 2SK3117 2-16H1B — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, созданный для эффективного управления высокими токами. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, мощных преобразователях и системах управления двигателями. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, компонент минимизирует потери мощности и обеспечивает высокий КПД всего устройства. Этот полупроводниковый прибор является надежным решением для современной силовой электроники.
Ключевые преимущества этого компонента:
- Низкое сопротивление канала RDS(on), что напрямую влияет на снижение тепловых потерь.
- Высокая скорость переключения, позволяющая создавать компактные и эффективные схемы.
- Способность стабильно работать с большими токами и напряжениями.
- Высокая надежность и длительный срок службы даже в demanding условиях эксплуатации.
Основные технические характеристики:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Модель: 2SK3117
- Корпус: 2-16H1B
- Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 600 В
- Ток стока (Id): 8 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 1.2 Ом
- Мощность рассеяния (Pd): 100 Вт
Для сохранения заводских качеств рекомендуется хранить и эксплуатировать компонент в пределах указанных в спецификации температурных и влажностных режимов. Избегайте воздействия статического электричества до момента монтажа. Не превышайте максимальные рабочие параметры, указанные в datasheet.
При монтаже и пайке строго соблюдайте стандартные меры предосторожности для работы с электронными компонентами. Используйте антистатические браслеты и оборудование для защиты от ESD. Обеспечьте качественный теплоотвод, если устройство работает на высоких токах, во избежание перегрева и выхода из строя.
Мы предлагаем оригинальные компоненты от проверенных производителей, полный комплекс услуг, быструю доставку и удобные способы оплаты. Убедитесь в качестве транзистора 2SK3117 лично — оформите заказ прямо сейчас и получите его в кратчайшие сроки.
