Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Транзистор 04N03LA TO251

К сравнению
В избранное
Артикул:66194
Транзистор 04N03LA TO251
N-канальный силовой MOSFET в корпусе TO-251, предназначенный для эффективного управления высокими нагрузками в импульсных источниках питания и схемах управления двигателями. Обладает низким сопротивлением в открытом состоянии и высокой скоростью переключения, что обеспечивает минимальные потери мощности.
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
В наличии 10 шт.
Начислим +7.45 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

149 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Характеристики
Отзывы

Транзистор 04N03LA TO251 — это современный N-канальный полевой MOSFET-транзистор, разработанный для эффективного управления мощностью. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и в качестве ключа для управления мощной нагрузкой, например, моторами или светодиодами. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии, он минимизирует потери мощности и нагрев, обеспечивая стабильную работу вашего устройства. Корпус TO-251 обеспечивает удобство монтажа и хороший отвод тепла от кристалла.

Преимущества данного транзистора:

  • Низкое сопротивление канала RDS(on) для высокой энергоэффективности.
  • Высокая скорость переключения, что критично для импульсных схем.
  • Компактный и удобный для монтажа корпус, упрощающий проектирование платы.
  • Надежная работа в широком диапазоне напряжений и токов.

Основные технические характеристики:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Сток-исток максимальное напряжение: 30 В
  • Максимальный непрерывный ток стока: 40 А
  • Сопротивление в открытом состоянии: 4.5 мОм
  • Пороговое напряжение затвора: от 1.0 В до 2.0 В
  • Корпус: TO-251 (IPAK)

Особенности эксплуатации и хранения:

  • Храните в оригинальной упаковке для защиты выводов от механических повреждений и окисления.
  • Избегайте воздействия статического электричества до момента установки.
  • Соблюдайте рекомендуемый температурный режим пайки для предотвращения перегрева кристалла.
  • Обеспечьте качественный теплоотвод при работе на больших токах для сохранения заявленных характеристик.

Условия безопасной работы:

  • Все работы по пайке и установке должны проводиться на обесточенном оборудовании.
  • Обязательно используйте ESD-защиту (антистатические браслеты, коврики) при обращении с компонентом.
  • Не превышайте абсолютные максимальные значения напряжения и тока, указанные в datasheet.
  • Обеспечьте электрическую изоляцию корпуса, если он монтируется на радиатор, не имеющий гальванической развязки с общим проводом схемы.

Мы предлагаем полный комплекс услуг: профессиональные консультации по подбору компонентов, быструю доставку по всей России и удобные способы оплаты. Убедитесь в качестве транзистора 04N03LA лично — добавьте его в корзину и оформите заказ прямо сейчас.

Характеристики
Корпус
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В
Максимальная рассеиваемая мощность Рси, Вт
Максимальный ток сток-исток при Iси, А
Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
Все отзывы 0
общий рейтинг

Техническая документация