Технические характеристики:
биполярных транзисторов (N-P-N и P-N-P)
полевых транзисторов (N- и P-канальных MOSFET и JFET)
диодов и диодных сборок
тиристоров
симисторов
IGBT-тра
коэффициента усиления (h21э) , падение напряжения на переходе база-эмиттер, обратный ток утечки К-Э биполярных транзисторов.
напряжения открывания, емкости затвора , сопротивления открытого канала, наличие защитного диода С-И (и прямое падение напряжения на нем)полевых транзисторов.
сопротивления до 2-х резисторов одновременно (удобно при проверке переменных/подстроечных резисторов) в пределах от 0.1 Ом до 50 МОм
емкости конденсаторов в пределах от 10 пФ до 100 000 мкФ
падения напряжения (прямое включение), емкости (обратное включение) и тока утечки диодов
индуктивности в пределах от 0.01 мГн до 20 Гн
напряжения стабилизации стабилитронов (до 36В)
сопротивления : 0.1…10 Ом – не более 5%,10 ом…10 МОм – не более 2%,10 Мом…50 МОм – не более 5%
емкости : 10 пФ…100 пФ не более 5%,100 пФ…100 мкФ – не более 2%,100 мкФ…100000 мкФ – не более 7%
10 мкГн…100 мкГн – не более 10%,100 мкГн…100 мГн – не более 5%,100 мГн… 20 Гн – не более 15%
0 в выключенном состоянии
13…25 мА в режиме измерения (зависит от проверяемого компонента)
