Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Микросхема КР198НТ5А DIP14

К сравнению
В избранное
Артикул:9903
Микросхема КР198НТ5А DIP14
Матрица p-n-p транзисторов
В наличии 30 шт.
Начислим +0.65 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

13 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Отзывы

Характеристики:

  • Напряжение насыщения база-эмиттер: 1 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1 В
  • Напряжение смещения нуля дифференциальной пары: 4 мВ
  • Обратный ток коллектора: 0,3 мкА
  • Статический коэффициентпередачи тока: 20...125
  • Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары: 15%

    Предельно допустимые режимы эксплуатации:

  • Напряжение коллектор-база: 20 В
  • Напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Ток коллектора: 10 мА
  • Рассеиваемая мощность одним транзистором: 20 мВт
  • Температура окружающей среды: -45...+85 С

    Скачать Datasheet МИКРОСХЕМА КР198НТ5А DIP14

     
  • Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
    Все отзывы 0
    общий рейтинг

    Техническая документация