Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Микросхема КР198НТ1А DIP14

К сравнению
В избранное
Артикул:5081
Микросхема КР198НТ1А DIP14
Матрицы n-p-n транзисторов
Нет в наличии
Начислим +2 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

40 руб.
11
Получение информации о методах доставки
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Отзывы

Характеристики:

  • Напряжение насыщения база-эмиттер: 1 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0,7 В
  • Напряжение смещения нуля дифференциальной пары: 4 мВ
  • Обратный ток коллектора: 0,04 мкА
  • Статический коэффициент передачи тока: 20...125
  • Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары: 15%

    Предельно допустимые режимы эксплуатации:

  • Напряжение коллектор-база: 20 В
  • Напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Ток коллектора: 10 мА
  • Рассеиваемая мощность одним транзистором: 20 мВт
  • Температура окружающей среды: -45...+85 С  
  • Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
    Все отзывы 0
    общий рейтинг