Ваш город ?
Написать в
WhatsApp
Написать в
Telegram
Каталог

Микросхема КР159НТ1Е DIP8

К сравнению
В избранное
Артикул:43461
Микросхема КР159НТ1Е DIP8
Матрица из двух NPN транзисторов
Нет в наличии
Начислим +0.95 бонусов

Начисленными бонусами можно оплатить до 50% стоимости следующих покупок

19 руб.
11
Доставка по России
On-line оплата
Система скидок
Возврат товара
Всегда на связи
Описание
Отзывы

Характеристики:

  • Напряжение коллектор-база: 20 В
  • Напряжение эмиттер-база: 4 В
  • Напряжение между транзисторами: 20 В
  • Ток коллектора постоянный: 10 мА
  • Ток коллектора импульсный: 40 мА
  • Рассеиваемая мощность: 50 В
  • Разность напряжений эмиттер-база транзисторов: 15 мВ
  • Прямое падение напряжения эмиттер-база: 0,55...0,75 В
  • Обратный ток коллектор-база: 200 нА
  • Обратный ток эмиттер-база: 500 нА
  • Емкость эмиттера: 5 пФ
  • Емкость коллектора: 4 пФ
  • Корпус: DIP8  
  • Отзывов ещё нет — ваш может стать первым.
    Все отзывы 0
    общий рейтинг

    Техническая документация

    УралWeb