Микросхема КР1014КТ1В DIP8 | купить в розницу и оптом

Электронные компоненты

Полупроводники

Микросхемы

Отечественные микросхемы

Микросхема КР1014КТ1В DIP8

Описание

Отзывы

Характеристики:

Амплитуда управляющего импульса: > 2,5 В

Напряжение включения схемы защиты: 9...20 В

Обратное напряжение при Iком= 110 мА

Управляющий ток:
- при Uупр= 9 В: < 10 мкА
- при Uупр= 20 В: > 10 мкА
- при Uупр= 5 В: < 1 мкА

Ток насыщения канала в открытом состоянии: < 1,5 А

Ток утечки на входе: < 10 мкА

Импульсный ток утечки: на входе: < 200 мкА

Ток затвор при Uзи= 5 В: < 1 мкА

Частота переключения: < 100 кГц

Время включения (выключения): < 2,5 мкс

Сопротивление в открытом состоянии при Iк= 35 мА: < 10 Ом

МАксимальное управляющее напряжение: 3,5 В

Максимальное напряжение затвор-сток в закрытом состоянии: 230 В

Максимальное коммутируемое напряжение: 75 В

Значение статического потенциала: 500 В

Максимальный коммутируемый ток: 110 мА, 200 мА

Максимальная рассеиваемая мощность: 0,15 Вт, 0,5 Вт

Температура окружающей среды: -60...+70 С

Скачать Datasheet МИКРОСХЕМА КР1014КТ1В DIP8

общий рейтинг