Микросхема К198НТ5А | купить в розницу и оптом

Электронные компоненты

Полупроводники

Микросхемы

Отечественные микросхемы

Микросхема К198НТ5А

Описание

Отзывы

Характеристики:

Напряжение насыщения база-эмиттер: < 1 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: < 1 В

Напряжение смещения нуля дифференциальной пары: < 4мВ

Обратный ток коллектора: < 0.3 мкА

Статический коэффициент передачи тока: 20...125

Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары: < 15%

Предельно допустимые режимы эксплуатации:

Напряжение коллектор-база: 20 В

Напряжение эмиттер-база: 5 В

Ток коллектора: 10 мА

Рассеиваемая мощность одним транзистором: 20 мВт

Температура окружающей среды: -45...+85°С

Скачать Datasheet МИКРОСХЕМА К198НТ5А

общий рейтинг